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中微公司三季報中的兩項重大技術(shù)突破：存儲芯片用高端刻蝕機大規模量產(chǎn)，多款薄膜設備性能達到國際先進(jìn)水平

2025/10/29 19:42:12      周路遙

2025年10月29日，中微公司（688012.SH）發(fā)布了2025年第三季度報告。公司2025年前三季度（1-9月）營(yíng)業(yè)收入為80.63億元，同比增長(cháng)約46.40%，歸屬于上市公司股東的凈利潤為12.11億元，較去年同期增長(cháng)約32.66%，研發(fā)支出25.23億元，較去年同期增長(cháng)約63.44%，研發(fā)支出占公司營(yíng)業(yè)收入比例約為31.29%。

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對于此次利潤增長(cháng)，中微公司表示，主要有三大原因：

1、2025年前三季度營(yíng)業(yè)收入增長(cháng)46.40%下，毛利較上年增長(cháng)約8.27億元；

2、由于市場(chǎng)對中微開(kāi)發(fā)多種新設備的需求急劇增長(cháng)，2025年公司顯著(zhù)加大研發(fā)力度，以盡快補短板，實(shí)現趕超，為持續增長(cháng)打好基礎。2025年前三季度公司研發(fā)支出較上年同期增長(cháng)9.79億元（增長(cháng)約63.44%），研發(fā)支出占公司營(yíng)業(yè)收入比例約為31.29%，遠高于科創(chuàng )板均值；

3、由于市場(chǎng)波動(dòng)，公司2025年前三季度計入非經(jīng)常性損益的股權投資收益為3.29億元，較上年同期增加約2.75億元。

存儲芯片用刻蝕機獲重大突破，薄膜設備收入同比增長(cháng)1333%

值得一提的是，中微公司不僅實(shí)現了業(yè)績(jì)上的增長(cháng)，在技術(shù)領(lǐng)域，中微公司同樣有重大突破。

一是，存儲芯片用刻蝕機獲重大突破。

中微公司表示，公司針對先進(jìn)邏輯和存儲器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運量顯著(zhù)提升，先進(jìn)邏輯器件中段關(guān)鍵刻蝕工藝和先進(jìn)存儲器件的超高深寬比刻蝕工藝實(shí)現大規模量產(chǎn)。其中CCP方面，公司用于關(guān)鍵刻蝕工藝的單反應臺介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品保持高速增長(cháng)，60比1超高深寬比介質(zhì)刻蝕設備成為國內標配設備，量產(chǎn)指標穩步提升，下一代90比1超高深寬比介質(zhì)刻蝕設備即將進(jìn)入市場(chǎng)。

二是，薄膜設備領(lǐng)域取得重大突破。

今年前三季度，中微公司LPCVD和ALD等薄膜設備收入4.03億元，同比增長(cháng)約1332.69%。

中微公司強調，公司為先進(jìn)存儲器件和邏輯器件開(kāi)發(fā)的LPCVD、ALD等多款薄膜設備已經(jīng)順利進(jìn)入市場(chǎng)，并且設備性能完全達到國際領(lǐng)先水平，薄膜設備的覆蓋率不斷增加。

除了上述兩大突破，在其他技術(shù)領(lǐng)域，中微公司也有進(jìn)展。

中微公司表示，ICP方面，適用于下一代邏輯和存儲客戶(hù)用ICP刻蝕設備和化學(xué)氣相刻蝕設備開(kāi)發(fā)取得了良好進(jìn)展。加工的精度和重復性已達到單原子水平。

此外，公司硅和鍺硅外延EPI設備已順利運付客戶(hù)端進(jìn)行量產(chǎn)驗證，并且獲得客戶(hù)高度認可。在泛半導體設備領(lǐng)域，公司正在開(kāi)發(fā)更多化合物半導體外延設備，已陸續付運至客戶(hù)端開(kāi)展生產(chǎn)驗證。